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{| class="wikitable" style="float:right; width:320px; margin-left:1em;" |+ style="font-weight:bold; font-size:1.2em;" | 电子元件:电容 (Capacitor) |- ! 符号 | <math>C</math> |- ! 国际单位 | 法拉 (Farad, F) |- ! 核心特性 | 储能、隔直通交、相位滞后 |- ! 频率特性 | 低频呈容性,高频呈感性 |} == 概述 == '''电容'''是一种能够存储电荷的被动电子元件。在电路中,它具有“隔断直流、通过交流”的基本特性。在实际工程(如[[PCB设计]])中,电容并非理想的物理量,它包含等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)。这些寄生参数共同决定了电容的频率特性曲线。 == 基础物理公式 == === 1. 定义式与单位 === 电容定义为电荷量 <math>Q</math> 与电压 <math>V</math> 的比值: <center><math>C = \frac{Q}{V}</math></center> * '''单位换算''':<math>1\text{ F} = 10^6 \mu\text{F} = 10^9 \text{ nF} = 10^{12} \text{ pF}</math>。 === 2. 平行板电容结构式 === 电容值由其物理几何结构决定: <center><math>C = \epsilon_0 \epsilon_r \frac{A}{d}</math></center> 其中: * <math>\epsilon_0</math>:真空介电常数(约 <math>8.854 \times 10^{-12} \text{ F/m}</math>)。 * <math>\epsilon_r</math>:介质的相对介电常数。 * <math>A</math>:极板有效重叠面积。 * <math>d</math>:极板间的电介质厚度。 === 3. 储能公式 === 电容中储存的电场能量 <math>E</math> 为: <center><math>E = \frac{1}{2} C V^2</math></center> == 阻抗与频率响应公式 == === 1. 容抗 (Capacitive Reactance) === 电容对交流电的阻碍作用,随频率升高而减小: <center><math>X_C = \frac{1}{2\pi f C} = \frac{1}{\omega C}</math></center> === 2. 寄生感抗 (Inductive Reactance) === 由于封装、引脚及焊盘存在寄生感量(ESL),电容在高频下会产生感抗: <center><math>X_L = 2\pi f \cdot L_{ESL} = \omega L_{ESL}</math></center> === 3. 复阻抗全模型 (RLC Series Model) === 实际电容的阻抗模值 <math>|Z|</math> 是 ESR、容抗和感抗的矢量叠加: <center><math>|Z| = \sqrt{R_{ESR}^2 + (X_L - X_C)^2} = \sqrt{R_{ESR}^2 + \left(\omega L_{ESL} - \frac{1}{\omega C}\right)^2}</math></center> == 自谐振频率 (SRF) == 当电容的容抗等于其寄生感抗(<math>X_C = X_L</math>)时,电路发生谐振,总阻抗达到最低点(仅剩 <math>R_{ESR}</math>)。 === 1. 谐振计算公式 === <center><math>f_0 = \frac{1}{2\pi \sqrt{L_{ESL} \cdot C}}</math></center> === 2. 频率分区行为 === * '''容性区 (<math>f < f_0</math>)''':电容表现为储能特性,阻抗随频率降低。 * '''感性区 (<math>f > f_0</math>)''':由于寄生感量占主导,电容表现为电感特性,阻抗随频率上升,失去去耦作用。 == 品质因数与损耗 == === 1. 品质因数 (Q Factor) === 衡量电容储能效率与自身损耗的比值: <center><math>Q = \frac{|X_C|}{R_{ESR}} = \frac{1}{\omega C \cdot R_{ESR}}</math></center> === 2. 损耗角正切 (Dissipation Factor, DF) === 通常写作 <math>\tan \delta</math>,代表电容损耗掉的功率与储存功率之比: <center><math>\tan \delta = \frac{1}{Q} = \omega C \cdot R_{ESR}</math></center> == 参见 == * [[电源完整性]] (PI) * [[等效串联电感]] (ESL) * [[去耦电容]] * [[阻抗匹配]] [[Category:电子元件]] [[Category:电路理论]]
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