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- 2026年5月12日 (二) 15:01 Admin 留言 贡献创建了页面IGBT （创建页面，内容为“{| class="wikitable" style="float: right; width: 320px; margin-left: 1em; font-size: 90%; border: 1px solid #a2a9b1;" |+ style="font-weight: bold; font-size: 1.2em; padding: 5px;" | IGBT |- ! style="background-color: #f2f2f2; width: 30%;" | 全称 | Insulated Gate Bipolar Transistor |- ! style="background-color: #f2f2f2;" | 核心特性 | 高输入阻抗 + 低导通压降 |- ! style="background-color: #f2f2f2;" | 驱动方式 | 电压控制 (Gate) |- ! style="b…”）
