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屏蔽效能:修订间差异

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* <math>E_0, H_0</math> 为无屏蔽体时的场强。
* <math>E_0, H_0</math> 为无屏蔽体时的场强。
* <math>E_s, H_s</math> 为有屏蔽体后的场强。
* <math>E_s, H_s</math> 为有屏蔽体后的场强。


== 屏蔽机理 (Schelkunoff 理论) ==
== 屏蔽机理 (Schelkunoff 理论) ==

2026年5月12日 (二) 14:08的版本

屏蔽效能 (SE)
外文名 Shielding Effectiveness
衡量单位 分贝 (dB)
核心组成 反射损耗 (R)、吸收损耗 (A)
影响因素 材料电导率、磁导率、频率、孔洞

屏蔽效能(Shielding Effectiveness, SE)是衡量屏蔽体对电磁波衰减能力的指标。它定义为同一位置在没有屏蔽体前后的场强之比(或功率之比),通常以分贝(dB)表示。

数学定义

屏蔽效能可通过电场强度 E 或磁场强度 H 来定义:

SE=20log10(E0Es) dB
SE=20log10(H0Hs) dB

其中:

  • E0,H0 为无屏蔽体时的场强。
  • Es,Hs 为有屏蔽体后的场强。

屏蔽机理 (Schelkunoff 理论)

总屏蔽效能主要由以下三部分叠加而成:

SE=R+A+B
  1. 反射损耗 (Reflection Loss, R): 电磁波由一种介质进入另一种介质时,由于波阻抗不匹配在界面处发生的反射。
    • 阻抗差异越大,反射损耗越高。例如,金属对高阻抗电场波具有极高的反射损耗。
  2. 吸收损耗 (Absorption Loss, A): 进入屏蔽体内部的电磁波在穿过材料时,由于引起涡流导致的能量热损耗。
    • 吸收损耗与屏蔽体的厚度及趋肤效应深度密切相关。
  3. 多次反射修正 (Multiple Reflection, B): 在薄屏蔽体内部,电磁波在两个界面间来回反射导致的增益或衰减,通常在吸收损耗 A>10 dB 时可忽略。

影响屏蔽效能的关键因素

1. 材料特性

  • 电导率 (σ): 高电导率材料(如铜、铝)提供极佳的反射损耗。
  • 磁导率 (μ): 高磁导率材料(如钢、坡莫合金)在低频下提供良好的磁场吸收损耗。

2. 电磁波频率

  • 随着频率升高,吸收损耗增加,但反射损耗由于空气与屏蔽体阻抗差减小而降低。

3. 缝隙与孔洞 (最薄弱环节)

工程实践中,屏蔽效能往往不取决于材料本身,而取决于屏蔽体的结构完整性:

  • 孔洞泄露: 泄露程度取决于孔洞的最大线性尺寸(如缝隙长度),而非孔洞面积。
  • 截止波导效应: 利用波导原理设计的通风孔可以在保证气流的同时衰减电磁波。

工程应用与整改

  • 医疗设备屏蔽: 针对高灵敏度前端电路,使用金属屏蔽盒(Shielding Can)隔离干扰。
  • 电缆屏蔽: 屏蔽层必须 360度端接 到机壳地,避免形成“猪尾巴”天线导致屏蔽效能失效。
  • 导电衬垫 (Gasket): 用于填补机箱门缝或接口处的缝隙,确保电学连续性。

参见