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2026年5月12日 (星期二)

  • 当前之前 15:192026年5月12日 (二) 15:19 Admin 留言 贡献 2,688字节 +2,688 创建页面，内容为“{| class="wikitable" style="float: right; width: 320px; margin-left: 1em; font-size: 90%; border: 1px solid #a2a9b1;" |+ style="font-weight: bold; font-size: 1.2em; padding: 5px;" | 氮化镓 (GaN) |- ! style="background-color: #f2f2f2; width: 30%;" | 材料类别 | 宽禁带半导体 (WBG) |- ! style="background-color: #f2f2f2;" | 电子迁移率 | 极高 (适合高频开关) |- ! style="background-color: #f2f2f2;" | 常见结构 | HEMT (高电子迁移率晶…”
检索自“https://www.iec.wiki/GaN”