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数学定义

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	* <math>E_0, H_0</math> 为无屏蔽体时的场强。		* <math>E_0, H_0</math> 为无屏蔽体时的场强。
	* <math>E_s, H_s</math> 为有屏蔽体后的场强。		* <math>E_s, H_s</math> 为有屏蔽体后的场强。



	== 屏蔽机理 (Schelkunoff 理论) ==		== 屏蔽机理 (Schelkunoff 理论) ==

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|+ style="font-weight: bold; font-size: 1.2em; padding: 5px;" | 屏蔽效能 (SE)
|-
! style="background-color: #f2f2f2; width: 30%;" | 外文名
| Shielding Effectiveness
|-
! style="background-color: #f2f2f2;" | 衡量单位
| 分贝 (dB)
|-
! style="background-color: #f2f2f2;" | 核心组成
| 反射损耗 (R)、吸收损耗 (A)
|-
! style="background-color: #f2f2f2;" | 影响因素
| 材料电导率、磁导率、频率、孔洞
|}

'''屏蔽效能'''（Shielding Effectiveness, SE）是衡量屏蔽体对电磁波衰减能力的指标。它定义为同一位置在没有屏蔽体前后的场强之比（或功率之比），通常以分贝（dB）表示。

== 数学定义 ==

屏蔽效能可通过电场强度 <math>E</math> 或磁场强度 <math>H</math> 来定义：

:<math>SE = 20 \log_{10} \left( \frac{E_0}{E_s} \right) \text{ dB}</math>
:<math>SE = 20 \log_{10} \left( \frac{H_0}{H_s} \right) \text{ dB}</math>

其中：
* <math>E_0, H_0</math> 为无屏蔽体时的场强。
* <math>E_s, H_s</math> 为有屏蔽体后的场强。

== 屏蔽机理 (Schelkunoff 理论) ==

总屏蔽效能主要由以下三部分叠加而成：
:<math>SE = R + A + B</math>

# '''反射损耗 (Reflection Loss, R)：''' 电磁波由一种介质进入另一种介质时，由于'''[[波阻抗]]'''不匹配在界面处发生的反射。
#* 阻抗差异越大，反射损耗越高。例如，金属对高阻抗电场波具有极高的反射损耗。
# '''吸收损耗 (Absorption Loss, A)：''' 进入屏蔽体内部的电磁波在穿过材料时，由于引起涡流导致的能量热损耗。
#* 吸收损耗与屏蔽体的厚度及'''[[趋肤效应]]'''深度密切相关。
# '''多次反射修正 (Multiple Reflection, B)：''' 在薄屏蔽体内部，电磁波在两个界面间来回反射导致的增益或衰减，通常在吸收损耗 <math>A > 10\text{ dB}</math> 时可忽略。

== 影响屏蔽效能的关键因素 ==

=== 1. 材料特性 ===
* '''电导率 (<math>\sigma</math>)：''' 高电导率材料（如铜、铝）提供极佳的反射损耗。
* '''磁导率 (<math>\mu</math>)：''' 高磁导率材料（如钢、坡莫合金）在低频下提供良好的磁场吸收损耗。

=== 2. 电磁波频率 ===
* 随着频率升高，吸收损耗增加，但反射损耗由于空气与屏蔽体阻抗差减小而降低。

=== 3. 缝隙与孔洞 (最薄弱环节) ===
工程实践中，屏蔽效能往往不取决于材料本身，而取决于屏蔽体的结构完整性：
* '''孔洞泄露：''' 泄露程度取决于孔洞的最大线性尺寸（如缝隙长度），而非孔洞面积。
* '''截止波导效应：''' 利用波导原理设计的通风孔可以在保证气流的同时衰减电磁波。

== 工程应用与整改 ==

* '''医疗设备屏蔽：''' 针对高灵敏度前端电路，使用金属屏蔽盒（Shielding Can）隔离干扰。
* '''电缆屏蔽：''' 屏蔽层必须 '''360度端接''' 到机壳地，避免形成“猪尾巴”天线导致屏蔽效能失效。
* '''导电衬垫 (Gasket)：''' 用于填补机箱门缝或接口处的缝隙，确保电学连续性。

== 参见 ==
* [[波阻抗]]
* [[趋肤效应]]
* [[电磁理论]]
* [[辐射干扰]]

[[Category:电磁兼容]]
[[Category:电磁理论]]

屏蔽效能 - 版本历史

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