https://www.iec.wiki/index.php?action=history&feed=atom&title=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%8A%80%E6%9C%AF
半导体技术 - 版本历史
2026-10-24T03:15:13Z
本wiki上该页面的版本历史
MediaWiki 1.45.3
https://www.iec.wiki/index.php?title=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%8A%80%E6%9C%AF&diff=8291&oldid=prev
Admin：/* 半导体在现代工程中的重要性 */
2026-06-23T13:34:33Z
<p><span class="autocomment">半导体在现代工程中的重要性</span></p>
<table style="background-color: #fff; color: #202122;" data-mw="interface">
<col class="diff-marker" />
<col class="diff-content" />
<col class="diff-marker" />
<col class="diff-content" />
<tr class="diff-title" lang="zh-Hans-CN">
<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">←上一版本</td>
<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">2026年6月23日 (二) 21:34的版本</td>
</tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="mw-diff-left-l25">第25行：</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">第25行：</td></tr>
<tr><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><br></td><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><br></td></tr>
<tr><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>* '''从硅基向宽禁带演进'''：由于 [[碳化硅 (SiC)]] 和 [[氮化镓 (GaN)]] 具有更大的禁带宽度，能够在更高电压、更高温度及更高开关频率下工作，这使得大功率变流器能够显著缩小体积并提升效率。</div></td><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>* '''从硅基向宽禁带演进'''：由于 [[碳化硅 (SiC)]] 和 [[氮化镓 (GaN)]] 具有更大的禁带宽度，能够在更高电压、更高温度及更高开关频率下工作，这使得大功率变流器能够显著缩小体积并提升效率。</div></td></tr>
<tr><td class="diff-marker" data-marker="−"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>* '''电磁兼容挑战'''：半导体器件开关速度（<del style="font-weight: bold; text-decoration: none;">$</del>\frac{dv}{dt}<del style="font-weight: bold; text-decoration: none;">$</del>）的提升，虽提高了效率，但也带来了更严峻的电磁骚扰问题，要求设计中必须同步升级电磁屏蔽与滤波策略。</div></td><td class="diff-marker" data-marker="+"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>* '''电磁兼容挑战'''：半导体器件开关速度（<ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;"><math></ins>\frac{dv}{dt}<ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;"></math></ins>）的提升，虽提高了效率，但也带来了更严峻的电磁骚扰问题，要求设计中必须同步升级电磁屏蔽与滤波策略。</div></td></tr>
<tr><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><br></td><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><br></td></tr>
<tr><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== 参阅 ==</div></td><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== 参阅 ==</div></td></tr>
<!-- diff cache key iec_wiki:diff:1.41:old-8290:rev-8291:php=table -->
</table>
Admin
https://www.iec.wiki/index.php?title=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E6%8A%80%E6%9C%AF&diff=8290&oldid=prev
Admin：创建页面，内容为“<table style="float: right; width: 300px; background: #f9f9f9; border: 1px solid #a2a9b1; border-collapse: collapse; margin-left: 15px; margin-bottom: 10px; font-size: 90%; padding: 5px;"> <tr style="background: #eaecf0; text-align: center;"><th colspan="2" style="padding: 5px; font-size: 120%;">半导体技术</th></tr> <tr><th style="padding: 5px; text-align: left; width: 100px;">核心定义</th><td style="padding: 5px;">导电能力介于导体与绝缘体…”
2026-06-23T13:34:13Z
<p>创建页面，内容为“<table style="float: right; width: 300px; background: #f9f9f9; border: 1px solid #a2a9b1; border-collapse: collapse; margin-left: 15px; margin-bottom: 10px; font-size: 90%; padding: 5px;"> <tr style="background: #eaecf0; text-align: center;"><th colspan="2" style="padding: 5px; font-size: 120%;">半导体技术</th></tr> <tr><th style="padding: 5px; text-align: left; width: 100px;">核心定义</th><td style="padding: 5px;">导电能力介于导体与绝缘体…”</p>
<p><b>新页面</b></p><div><table style="float: right; width: 300px; background: #f9f9f9; border: 1px solid #a2a9b1; border-collapse: collapse; margin-left: 15px; margin-bottom: 10px; font-size: 90%; padding: 5px;"><br />
<tr style="background: #eaecf0; text-align: center;"><th colspan="2" style="padding: 5px; font-size: 120%;">半导体技术</th></tr><br />
<tr><th style="padding: 5px; text-align: left; width: 100px;">核心定义</th><td style="padding: 5px;">导电能力介于导体与绝缘体之间</td></tr><br />
<tr><th style="padding: 5px; text-align: left;">物理本质</th><td style="padding: 5px;">能带理论、PN 结效应</td></tr><br />
<tr><th style="padding: 5px; text-align: left;">工业基石</th><td style="padding: 5px;">集成电路、功率半导体、光电器件</td></tr><br />
</table><br />
<br />
'''半导体技术'''（Semiconductor Technology）是现代电子工业的基石，指利用半导体材料（如硅、锗、砷化镓及碳化硅/氮化镓等宽禁带材料）独特的电学性质，通过精密的物理与化学工艺，制造出各种逻辑处理、电能变换及传感探测器件的技术体系。<br />
<br />
<br />
<br />
== 核心技术分支 ==<br />
半导体技术广泛应用于电力电子、计算存储及能源领域：<br />
* '''功率半导体'''：如 [[IGBT]]、[[SiC MOSFET]]，是控制和转换大功率电能的核心元件，广泛应用于光伏、储能及新能源汽车电机驱动中。<br />
* '''微电子与集成电路 (IC)'''：包含 CPU、DSP 及 FPGA 等逻辑芯片，负责信息的处理与控制逻辑实现。<br />
* '''光电子技术'''：利用半导体材料的光电效应，制造出太阳能电池板及 LED 等，是能源转换的关键。<br />
<br />
== 半导体制造工艺链 ==<br />
半导体技术的实现依赖于高度复杂的制造工艺：<br />
* '''晶圆制备'''：将高纯度硅提纯并切割成单晶晶圆。<br />
* '''光刻与刻蚀'''：通过超微细加工，在晶圆上刻画出纳米级的电子电路图案。<br />
* '''掺杂工艺'''：通过在半导体内部引入杂质，构建 PN 结，从而形成可控的电子开关。<br />
<br />
== 半导体在现代工程中的重要性 ==<br />
<br />
* '''从硅基向宽禁带演进'''：由于 [[碳化硅 (SiC)]] 和 [[氮化镓 (GaN)]] 具有更大的禁带宽度，能够在更高电压、更高温度及更高开关频率下工作，这使得大功率变流器能够显著缩小体积并提升效率。<br />
* '''电磁兼容挑战'''：半导体器件开关速度（$\frac{dv}{dt}$）的提升，虽提高了效率，但也带来了更严峻的电磁骚扰问题，要求设计中必须同步升级电磁屏蔽与滤波策略。<br />
<br />
== 参阅 ==<br />
* [[电力电子技术]]<br />
* [[集成电路]]<br />
* [[碳化硅 (SiC)]]<br />
* [[氮化镓 (GaN)]]<br />
<br />
[[Category:材料科学]]<br />
[[Category:电子工程]]<br />
[[Category:半导体技术]]</div>
Admin