https://www.iec.wiki/index.php?action=history&feed=atom&title=%E5%88%86%E7%B1%BB%3A%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%99%A8%E4%BB%B6 2026-10-24T03:18:45Z 本wiki上该页面的版本历史 MediaWiki 1.45.3 https://www.iec.wiki/index.php?title=%E5%88%86%E7%B1%BB:%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%99%A8%E4%BB%B6&diff=7016&oldid=prev 2026-05-12T07:11:30Z

<p>创建页面，内容为“这是 emc.wiki 中关于半导体功率器件与信号处理元器件的分类。 == 分类简介 == 半导体器件是现代电子设备的核心，尤其是在电力电子与医疗器械领域。本分类涵盖了： * &#039;&#039;&#039;功率开关器件：&#039;&#039;&#039; 如 <a href="/IGBT" title="IGBT">IGBT</a>、<a href="/MOSFET" title="MOSFET">MOSFET</a>，负责高功率能量变换，同时也是主要的 EMC 骚扰源。 * &#039;&#039;&#039;整流与续流器件：&#039;&#039;&#039; 如 <a href="/%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1" title="二极管">二极管</a>，其反向恢复特性对高频辐射骚扰有重要影响。 * &#039;…”</p> <p><b>新页面</b></p><div>这是 emc.wiki 中关于半导体功率器件与信号处理元器件的分类。<br /> <br /> == 分类简介 ==<br /> 半导体器件是现代电子设备的核心，尤其是在电力电子与医疗器械领域。本分类涵盖了：<br /> * &#039;&#039;&#039;功率开关器件：&#039;&#039;&#039; 如 [[IGBT]]、[[MOSFET]]，负责高功率能量变换，同时也是主要的 EMC 骚扰源。<br /> * &#039;&#039;&#039;整流与续流器件：&#039;&#039;&#039; 如 [[二极管]]，其反向恢复特性对高频辐射骚扰有重要影响。<br /> * &#039;&#039;&#039;先进半导体：&#039;&#039;&#039; 如 [[SiC MOSFET]]、[[GaN]] 等宽禁带半导体，代表了高效率与高功率密度的技术前沿。<br /> <br /> == EMC 视角 ==<br /> 在进行 EMC 诊断时，半导体器件通常被视为“主动干扰源”。其开关速度（&lt;math&gt;dv/dt&lt;/math&gt; 和 &lt;math&gt;di/dt&lt;/math&gt;）直接决定了系统的传导与辐射指标。理解这些器件的物理特性，是进行针对性滤波与屏蔽设计的基础。<br /> <br /> == 包含词条 ==<br /> &lt;categorytree mode=pages&gt;半导体器件&lt;/categorytree&gt;<br /> <br /> [[Category:电力电子]]</div>

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