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2026-05-12T07:45:52Z

测量与区分

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	在 LISN 测得的传导数据中，可以通过以下方式识别：		在 LISN 测得的传导数据中，可以通过以下方式识别：
	* '''共模分量：''' $V_{cm} = (V_{L} + V_{N}) / 2$		* '''共模分量：''' <math>V_{cm} = (V_{L} + V_{N}) / 2</math>
	* '''差模分量：''' $V_{dm} = (V_{L} - V_{N}) / 2$		* '''差模分量：''' <math>V_{dm} = (V_{L} - V_{N}) / 2</math>
	使用专业的“共模/差模分离网络”可以精确判断干扰类型，从而决定是增加 Y 电容（针对共模）还是 X 电容（针对差模）。		使用专业的“共模/差模分离网络”可以精确判断干扰类型，从而决定是增加 Y 电容（针对共模）还是 X 电容（针对差模）。

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2026-05-12T07:45:38Z

物理图谱与路径

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	== 物理图谱与路径 ==		== 物理图谱与路径 ==

	在共模干扰模型中，电流 $I_{cm}$ 从源端出发，同时沿着两根（或多根）导线流向负载，最后通过导线与参考地之间的耦合路径返回源端。		在共模干扰模型中，电流 <math>I_{cm}</math> 从源端出发，同时沿着两根（或多根）导线流向负载，最后通过导线与参考地之间的耦合路径返回源端。

	* '''产生根源：''' 主要是由于电路中的电压突变（$dv/dt$）或电流突变（$di/dt$）通过寄生电容或互感耦合到了参考地。		* '''产生根源：''' 主要是由于电路中的电压突变（<math>dv/dt</math>）或电流突变（<math>di/dt</math>）通过寄生电容或互感耦合到了参考地。
	* '''辐射效率：''' 共模电流虽然通常很小（mA级别），但由于其流经的电缆形成了一个巨大的“单极天线”结构，其辐射效率远高于差模电流。		* '''辐射效率：''' 共模电流虽然通常很小（mA级别），但由于其流经的电缆形成了一个巨大的“单极天线”结构，其辐射效率远高于差模电流。

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2026-05-12T05:57:06Z

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|+ style="font-weight: bold; font-size: 1.2em; padding: 5px;" | 共模干扰 (Common Mode)
|-
! style="background-color: #f2f2f2; width: 30%;" | 外文名
| Common Mode Interference / Noise
|-
! style="background-color: #f2f2f2;" | 电流方向
| 同向流动，通过地回路返回
|-
! style="background-color: #f2f2f2;" | 核心危害
| 强辐射发射、系统死机、数据错误
|-
! style="background-color: #f2f2f2;" | 抑制手段
| 共模电感、屏蔽、接地、磁珠
|-
! style="background-color: #f2f2f2;" | 关联术语
| [[差模干扰]]、[[共模抑制比 (CMRR)]]
|}

'''共模干扰'''（Common Mode Interference）是指在两根信号线（或电源线）上同时出现，且相位和振幅相同的干扰信号。与[[差模干扰]]不同，共模干扰并不在导线之间形成回路，而是通过导线与“地”（地面、机壳或参考平面）之间的寄生电容形成回路。

== 物理图谱与路径 ==

在共模干扰模型中，电流 $I_{cm}$ 从源端出发，同时沿着两根（或多根）导线流向负载，最后通过导线与参考地之间的耦合路径返回源端。

* '''产生根源：''' 主要是由于电路中的电压突变（$dv/dt$）或电流突变（$di/dt$）通过寄生电容或互感耦合到了参考地。
* '''辐射效率：''' 共模电流虽然通常很小（mA级别），但由于其流经的电缆形成了一个巨大的“单极天线”结构，其辐射效率远高于差模电流。

== 常见来源 ==

# '''开关电源 (SMPS)：''' 功率开关管（如 MOSFET）的漏极与散热片（通常接机壳地）之间的寄生电容，在高速开关时产生巨大的共模电流。
# '''电缆非对称：''' 信号线长度不一致或屏蔽层接地不良，导致原本的差模信号转化为共模信号。
# '''地电位差：''' 两个设备之间由于接地阻抗不同，存在电位差，导致电缆中产生共模电流。
# '''感应耦合：''' 外部空间电磁场（如雷击、射频发射机）同时作用在所有导线上。

== 抑制策略 ==

=== 1. 增加共模阻抗 ===
* '''共模电感 (CM Choke)：''' 对共模信号呈现高阻抗，而对工作所需的差模信号几乎无影响。这是电源输入端和数据线（如 USB、以太网）最常用的方案。
* '''铁氧体磁珠：''' 直接套在电缆上，增加高频损耗。

=== 2. 旁路与滤波 ===
* '''Y电容：''' 在导线与地之间跨接电容，将共模噪声通过低阻抗路径引导回源端，避免流向外部电缆。

=== 3. 屏蔽与接地 ===
* 使用屏蔽线并确保屏蔽层 '''360度完整端接'''（摒弃“猪尾巴”接地），将干扰封闭在屏蔽层内部。
* 优化 PCB 布局，减小关键信号线与参考平面之间的环路面积。

== 测量与区分 ==

在 LISN 测得的传导数据中，可以通过以下方式识别：
* '''共模分量：''' $V_{cm} = (V_{L} + V_{N}) / 2$
* '''差模分量：''' $V_{dm} = (V_{L} - V_{N}) / 2$
使用专业的“共模/差模分离网络”可以精确判断干扰类型，从而决定是增加 Y 电容（针对共模）还是 X 电容（针对差模）。

== 参见 ==
* [[电磁学]]
* [[差模干扰]]
* [[LISN]]
* [[电波暗室]]
* [[铁氧体瓦]]

[[Category:电磁兼容]]
[[Category:电路理论]]

共模干扰 - 版本历史

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