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{| class="wikitable" style="float: right; width: 360px; margin-left: 1em; font-size: 90%; border: 1px solid #a2a9b1;" |+ style="font-weight: bold; font-size: 1.2em; padding: 5px;" | TVS |- ! style="background-color: #f2f2f2; width: 34%;" | 英文名称 | Transient Voltage Suppressor |- ! style="background-color: #f2f2f2;" | 中文名称 | 瞬态电压抑制二极管 |- ! style="background-color: #f2f2f2;" | 核心作用 | 瞬态过压保护 |- ! style="background-color: #f2f2f2;" | 典型应用 | ESD、EFT、Surge保护 |- ! style="background-color: #f2f2f2;" | 响应速度 | ps ~ ns级 |- ! style="background-color: #f2f2f2;" | 典型对象 | 电源口、IO口、通信接口 |} '''TVS'''(Transient Voltage Suppressor)是一种用于抑制瞬态过压的半导体保护器件,广泛应用于: * 电源接口 * 通信接口 * MCU IO * USB * Ethernet * [[RS-485]] * [[CAN]] * 医疗设备 * 工业设备 等系统中。 其核心作用是: 在瞬态高压出现时: * 快速导通 * 钳位过压 * 泄放能量 从而保护后级电路。 == 基本原理 == TVS 本质属于: 高功率雪崩二极管。 正常工作时: TVS 处于高阻状态。 当电压超过: '''击穿电压''' 后, TVS 会快速进入雪崩导通状态。 其钳位特性: <pre> 正常状态: 高阻抗 过压状态: 低阻抗快速导通 </pre> 从而将: 过压能量泄放。 == TVS核心参数 == 典型参数包括: {| class="wikitable" style="width:100%; text-align:center;" ! 参数 ! 含义 |- | VRWM | 反向工作电压 |- | VBR | 击穿电压 |- | VC | 钳位电压 |- | IPP | 峰值脉冲电流 |- | PPP | 峰值脉冲功率 |} 其中: '''VC''' 通常决定: 后级器件是否安全。 == TVS响应速度 == TVS 最大特点之一: 即: '''响应速度极快''' 通常可达到: * ps级 * ns级 因此: 特别适合: * ESD * EFT * 高频瞬态 保护。 == TVS与EMC == TVS 广泛应用于: * [[ESD]] * [[EFT]] * [[Surge]] 整改中。 其主要作用包括: * 限制瞬态电压 * 降低尖峰能量 * 提高抗扰度 == ESD中的TVS == ESD 上升沿极快: 通常为: :<math>0.7ns \sim 1ns</math> 因此: TVS 必须具备: * 超快响应 * 低寄生电感 * 低钳位电压 否则: 保护效果会明显下降。 == EFT中的TVS == EFT 特点包括: * 高频重复脉冲 * 强共模耦合 * 高频尖峰 TVS 通常用于: * 电源入口 * IO接口 * 通讯接口 吸收高频瞬态能量。 == Surge中的TVS == Surge 能量远高于: ESD 与 EFT。 因此: 很多情况下: TVS 需要与: * MOV * GDT * 共模电感 联合使用。 否则: TVS 容易损坏。 == TVS分类 == === 单向TVS === 主要用于: * DC电源 * 单极性信号 特点: * 钳位能力强 * 漏电流低 === 双向TVS === 主要用于: * AC线路 * 差分信号 * 通讯接口 例如: * [[RS-485]] * [[CAN]] == 高频寄生参数 == 高频下: TVS 会受到: * 寄生电容 * 寄生电感 影响。 因此: 高速接口中: TVS 选型非常关键。 == 高速接口中的TVS == 在: * USB3.0 * HDMI * Ethernet * PCIe 等高速接口中, TVS 必须具备: * 超低电容 * 低寄生参数 * 高带宽 否则: 容易导致: * 眼图恶化 * 信号反射 * 波形畸变 == TVS布局重点 == TVS 布局通常遵循: # 靠近接口 # 回流路径最短 # 接地阻抗最小 # 避免长Stub # 大面积接地 其中: 接地回流路径通常决定最终保护效果。 == TVS中的核心问题 == 很多 TVS 失效问题: 并非器件本身问题。 而是: * 回流路径过长 * 接地阻抗过大 * 寄生电感过大 导致。 例如: 即使 TVS 本身响应很快, 若接地路径存在: :<math>10nH</math> 寄生电感, 在: :<math>di/dt</math> 极高情况下, 仍会产生巨大尖峰。 == 医疗EMC中的TVS == 医疗设备通常需要兼顾: * EMC保护 * 漏电流限制 * 患者安全 因此: TVS 选型通常更加严格。 尤其: 患者接口中: 需要重点关注: * 漏电流 * 隔离结构 * 钳位电压 == TVS整改方向 == TVS 工程重点通常包括: # 钳位电压选择 # 峰值功率能力 # 寄生参数控制 # 回流路径优化 # 接地优化 # 接口布局 # 共模路径控制 其中: PCB布局往往决定: TVS 实际保护效果。 == 工程重点 == TVS 本质属于: '''高频瞬态能量泄放器件''' 很多 EMC 保护问题: 并非: “TVS参数不够”。 而是: * 回流结构 * 高频寄生参数 * 接地路径 * 共模耦合 共同作用的结果。 == 参见 == * [[ESD]] * [[EFT]] * [[Surge]] * [[EMI滤波器]] * [[共模干扰]] * [[IEC 61000-4-2]] * [[GB/T 17626.2]] * [[GB/T 17626.4]] * [[RS-485]] * [[CAN]] [[Category:EMC基础理论]] [[Category:EMC设计与整改]] [[Category:保护器件]] [[Category:技术百科]]
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