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{| class="wikitable" style="float: right; width: 320px; margin-left: 1em; font-size: 90%; border: 1px solid #a2a9b1;"
|+ style="font-weight: bold; font-size: 1.2em; padding: 5px;" | 屏蔽效能 (SE)
|-
! style="background-color: #f2f2f2; width: 30%;" | 定义
| 屏蔽体对电磁能量的衰减能力
|-
! style="background-color: #f2f2f2;" | 单位
| 分贝 (dB)
|-
! style="background-color: #f2f2f2;" | 核心因素
| 材料导电率、磁导率、缝隙尺寸
|-
! style="background-color: #f2f2f2;" | 关键公式
| <math>SE = A + R + B</math>
|}

'''屏蔽效能'''（Shielding Effectiveness，简称 SE）是衡量屏蔽体对电磁干扰阻挡能力的物理量。它定义为：在同一位置，无屏蔽体时的电场强度（或磁场强度）与有屏蔽体时的电场强度（或磁场强度）之比。

== 物理定义与公式 ==

屏蔽效能通常用分贝（dB）表示：
:<math>SE(dB) = 20 \log_{10} \left( \frac{E_0}{E_1} \right)</math>
其中 <math>E_0</math> 为入射波场强，<math>E_1</math> 为穿过屏蔽体后的场强。

根据谢昆诺夫（Schelkunoff）理论，屏蔽效能由三部分组成：
# '''吸收损耗 (A, Absorption Loss)：''' 电磁波穿过屏蔽材料内部时被转化为热能的部分。
# '''反射损耗 (R, Reflection Loss)：''' 电磁波在屏蔽体表面由于阻抗失配而发生的反射。
# '''多次反射修正 (B, Multi-reflection Correction)：''' 在薄屏蔽体内，波在两个界面间往返反射的影响。

== 影响 SE 的关键因素 ==

=== 1. 材料特性 ===
* '''电场屏蔽：''' 选用高导电率材料（如铜、铝）。
* '''低频磁场屏蔽：''' 需选用高磁导率材料（如坡莫合金、硅钢片），依靠磁通分流原理。对于您的大功率电感漏磁问题，材料的磁饱和特性至关重要。

=== 2. 结构缝隙（孔洞效应） ===
在实际工程中，屏蔽体的 SE 往往不由材料本身决定，而是取决于**缝隙**。
* '''关键规律：''' 屏蔽效能取决于孔洞的'''最大线性尺寸'''（如缝隙的长度），而非孔洞的面积。
* '''经验公式：''' 当缝隙长度 <math>L = \lambda/20</math> 时，屏蔽效能会下降到约 20dB。

== 工程实战：提升 50kW 系统 SE 的手段 ==

# '''缝隙处理：''' 在机柜门缝、盖板处使用导电衬垫（Gasket）或指形簧片，确保多点接触。
# '''窗口设计：''' 显示屏或观察窗需使用夹有金属丝网的屏蔽玻璃，或在开口处设计波导截止窗。
# '''电缆入口：''' 必须配合 [[360度接地]] 技术，否则穿出屏蔽体的电缆会像“天线”一样将内部干扰带出，使屏蔽效能归零。

== 屏蔽效能等级参考 ==
* '''0 - 20dB：''' 屏蔽效果极差（几乎无用）。
* '''30 - 60dB：''' 工业级产品标准，能解决大多数辐射问题。
* '''60 - 90dB：''' 医疗影像（如 MRI 室）或精密测量设备要求。
* '''100dB 以上：''' 军用或高性能实验室级屏蔽。

== 参见 ==
* [[360度接地]]
* [[分段屏蔽]]
* [[磁导率]]
* [[导电衬垫]]

[[Category:EMC设计与整改]]
[[Category:电力电子]]