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RE

来自认证百科

（重定向自辐射发射）

RE
英文名称	Radiated Emission
中文名称	辐射骚扰 / 辐射发射
典型频段	30MHz ~ 1GHz（传统）
扩展频段	可扩展至 6GHz
核心问题	共模电流、线缆天线效应
典型标准	CISPR 11 / CISPR 32

RE（Radiated Emission）是 EMC（Electromagnetic Compatibility）中的核心测试项目之一，中文通常称为：

辐射骚扰
辐射发射

其主要用于评估：

设备向空间辐射的电磁骚扰水平。

RE本质

RE 本质属于：

高频电流产生的空间电磁辐射

其核心问题包括：

共模电流
线缆天线效应
高频回流路径
高频寄生参数

测试频段

传统 RE 测试频段通常包括：

30 M H z \sim 1 G H z

随着：

高速数字系统
无线通信
SiC / GaN

发展，

新版标准通常扩展至：

2GHz
6GHz

甚至更高。

典型标准

RE 常见标准包括：

标准	领域
CISPR 11	工业、医疗、ISM
CISPR 32	多媒体设备
FCC Part 15	美国市场
EN 55032	欧盟EMC

RE中的核心机制

RE 最大核心之一：

即：

共模电流辐射

很多情况下：

真正产生辐射的：

并不是：

差模电流

而是：

共模电流

共模辐射

共模电流通常沿：

电缆
外壳
PE
屏蔽层

流动。

由于：

这些结构长度通常较长，

因此：

容易形成：

天线结构

从而产生强烈辐射。

线缆天线效应

长线缆属于：

RE 最大辐射源之一。

尤其：

当线缆长度接近：

\frac{λ}{4}

时，

会形成：

天线谐振

从而导致：

辐射急剧增加

高频回流路径

RE 本质上：

很多问题属于：

高频回流路径问题

高频下：

电流会自动寻找：

最低阻抗路径

若回流路径不连续：

则会形成：

大环路面积
共模电流
强空间辐射

高频谐波问题

即使：

系统工作频率不高，

由于：

上升沿极快
高频振铃
高 dv/dt

仍会产生：

大量高频谐波。

例如：

100kHz 开关频率：

其谐波可能扩展至：

数百 MHz。

RE中的典型噪声源

典型 RE 来源包括：

开关电源
PFC
IGBT
SiC MOSFET
DC/DC
MCU时钟
DDR
高速接口

其中：

高 dv/dt 与高 di/dt：

通常属于核心根源。

RE测试环境

RE 测试通常在：

OATS
SAC
半电波暗室
全电波暗室

中进行。

典型测试距离包括：

3m
10m

RE测试天线

常见测试天线包括：

天线	频段
双锥天线	30MHz ~ 300MHz
对数周期天线	200MHz ~ 1GHz
喇叭天线	1GHz以上

RE中的典型问题

典型 RE 超标包括：

开关频率谐波
宽带噪声
高频尖峰
天线谐振峰

常见表现包括：

30MHz附近尖峰
100MHz宽带抬升
数百MHz谐振峰

RE整改方向

RE整改通常包括：

降低共模电流
优化回流路径
缩小高频环路
降低 dv/dt
共模滤波
屏蔽优化
360度接地
线缆处理

其中：

共模路径通常决定最终 RE 性能。

屏蔽中的关键问题

很多 RE 问题：

与：

缝隙
接缝
开孔

密切相关。

高频下：

即使很小缝隙：

也可能形成：

缝隙天线

医疗EMC中的RE

医疗设备通常依据：

进行 RE 测试。

医疗设备特点包括：

长患者线缆
微弱模拟信号
高阻抗输入

因此：

RE整改通常更加困难。

RE中的典型工程问题

问题	原因
30MHz超标	共模路径
数百MHz尖峰	振铃 / 谐振
宽带抬升	高频回流异常
天线峰值	长线缆谐振
屏蔽失效	缝隙泄漏

高频EMC特点

随着：

SiC / GaN
高速数字系统
无线通信
高功率密度

发展，

RE 问题越来越呈现：

高频化
共模化
宽带化
系统化

特点。

工程重点

RE 本质属于：

系统级高频共模辐射问题

很多 RE 超标：

并非：

“器件本身不好”。

而是：

高频回流路径
共模结构
线缆天线效应
寄生参数
屏蔽结构

共同作用的结果。

参见

检索自“https://www.iec.wiki/index.php?title=RE&oldid=7163”

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